SPU18P06P
- Modèle de produit:
- SPU18P06P
- La description:
- MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 70886 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- SPU18P06P.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO251-3 |
| Séries: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | - |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Autres noms: | SP000012303 SPU18P06P-ND SPU18P06PIN SPU18P06PX SPU18P06PXK |
| Température de fonctionnement: | - |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 860pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 33nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| Description détaillée: | P-Channel 60V 18.6A (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 18.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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