État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 5.5mA |
Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PG-TO263-3-2 |
Séries: | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 23 mOhm @ 64A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 340W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Autres noms: | SP000096088 SPB80P06P G SPB80P06P G-ND SPB80P06PG SPB80P06PGATMA1TR SPB80P06PGINTR SPB80P06PGINTR-ND SPB80P06PGXT |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 5033pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 173nC @ 10V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 60V |
Description détaillée: | P-Channel 60V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |