SIHD5N50D-GE3
- Modèle de produit:
- SIHD5N50D-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 38915 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- SIHD5N50D-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-252AA |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 104W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | SIHD5N50D-GE3CT SIHD5N50D-GE3CT-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 325pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 500V |
| Description détaillée: | N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 5.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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