SIA411DJ-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SIA411DJ-T1-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 54884 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- SIA411DJ-T1-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | PowerPAK® SC-70-6 |
| Autres noms: | SIA411DJ-T1-GE3TR SIA411DJT1GE3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 8V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | P-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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