SI7119DN-T1-E3
- Modèle de produit:
- SI7119DN-T1-E3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 70809 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- SI7119DN-T1-E3.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PowerPAK® 1212-8 |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.05 Ohm @ 1A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | PowerPAK® 1212-8 |
| Autres noms: | SI7119DN-T1-E3TR SI7119DNT1E3 |
| Température de fonctionnement: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 33 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 666pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 6V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 200V |
| Description détaillée: | P-Channel 200V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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