SI5905BDC-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI5905BDC-T1-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 46728 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- SI5905BDC-T1-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 1206-8 ChipFET™ |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 80 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Puissance - Max: | 3.1W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SMD, Flat Lead |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 4V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 8V |
| type de FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 8V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4A |
| Numéro de pièce de base: | SI5905 |
| Email: | [email protected] |
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