SGP6N60UFDTU
Modèle de produit:
SGP6N60UFDTU
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 600V 6A 30W TO220
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
29369 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.SGP6N60UFDTU.pdf2.SGP6N60UFDTU.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.6V @ 15V, 3A
Condition de test:300V, 3A, 80 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:15ns/60ns
énergie de commutation:57µJ (on), 25µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-220
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):52ns
Puissance - Max:30W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:-
gate charge:15nC
Description détaillée:IGBT 600V 6A 30W Through Hole TO-220
Courant - Collecteur pulsée (Icm):25A
Courant - Collecteur (Ic) (max):6A
Numéro de pièce de base:SG*6N60
Email:[email protected]

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