SCT2120AFC
- Modèle de produit:
- SCT2120AFC
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 61890 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 1.SCT2120AFC.pdf2.SCT2120AFC.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 3.3mA |
| Vgs (Max): | +22V, -6V |
| La technologie: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Package composant fournisseur: | TO-220AB |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 156 mOhm @ 10A, 18V |
| Dissipation de puissance (max): | 165W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Autres noms: | SCT2120AFCU |
| Température de fonctionnement: | 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 500V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 61nC @ 18V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 18V |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| Description détaillée: | N-Channel 650V 29A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 29A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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