S1MHE3_A/I
- Modèle de produit:
- S1MHE3_A/I
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 27058 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 1.S1MHE3_A/I.pdf2.S1MHE3_A/I.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.1V @ 1A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 1000V |
| Package composant fournisseur: | DO-214AC (SMA) |
| La vitesse: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries: | Automotive, AEC-Q100 |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 1.8µs |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | DO-214AC, SMA |
| Autres noms: | S1MHE3_A/IGICT |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Description détaillée: | Diode Standard 1000V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 5µA @ 1000V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 1A |
| Capacité à Vr, F: | 12pF @ 4V, 1MHz |
| Numéro de pièce de base: | S1M |
| Email: | [email protected] |
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