S12JR
- Modèle de produit:
- S12JR
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 39595 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 1.S12JR.pdf2.S12JR.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Inverse de crête (max): | Standard, Reverse Polarity |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 12A |
| Tension - Ventilation: | DO-4 |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Bulk |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | - |
| Polarisation: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Autres noms: | S12JRGN |
| Type de montage: | Chassis, Stud Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | S12JR |
| Description élargie: | Diode Standard, Reverse Polarity 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Configuration diode: | 10µA @ 50V |
| La description: | DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.1V @ 12A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 600V |
| Capacité à Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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