S12JR
- Modelo do Produto:
- S12JR
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição:
- DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 39595 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- 1.S12JR.pdf2.S12JR.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - Pico Reversa (Max): | Standard, Reverse Polarity |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 12A |
| Tensão - Breakdown: | DO-4 |
| Série: | - |
| Status de RoHS: | Bulk |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistência @ Se, F: | - |
| Polarização: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Outros nomes: | S12JRGN |
| Tipo de montagem: | Chassis, Stud Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | S12JR |
| Descrição expandida: | Diode Standard, Reverse Polarity 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| configuração de diodo: | 10µA @ 50V |
| Descrição: | DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 1.1V @ 12A |
| Atual - rectificada média (Io) (por Diode): | 600V |
| Capacitância @ Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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