RN2701JE(TE85L,F)
- Modèle de produit:
- RN2701JE(TE85L,F)
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 24166 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- RN2701JE(TE85L,F).pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Package composant fournisseur: | ESV |
| Séries: | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 4.7 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 4.7 kOhms |
| Puissance - Max: | 100mW |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | SOT-553 |
| Autres noms: | RN2701JE(TE85LF)CT |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 200MHz |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 10mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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