RN1441ATE85LF
- Modèle de produit:
- RN1441ATE85LF
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 12492 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- RN1441ATE85LF.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 20V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 100mV @ 3mA, 30mA |
| Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | S-Mini |
| Séries: | - |
| Résistance - Base (R1): | 5.6 kOhms |
| Puissance - Max: | 200mW |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | RN1441ATE85LFCT |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 30MHz |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount S-Mini |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 4mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 300mA |
| Email: | [email protected] |
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