RN1106MFV,L3F
- Modèle de produit:
- RN1106MFV,L3F
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS PREBIAS NPN
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 67527 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- RN1106MFV,L3F.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | VESM |
| Séries: | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 47 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 4.7 kOhms |
| Puissance - Max: | 150mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-723 |
| Autres noms: | RN1106MFV,L3F(B RN1106MFV,L3F(T RN1106MFVL3F RN1106MFVL3F(B RN1106MFVL3F(T RN1106MFVL3F-ND RN1106MFVL3FTR |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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