RN1101,LF(CT
- Modèle de produit:
- RN1101,LF(CT
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 73793 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- RN1101,LF(CT.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | SSM |
| Séries: | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 4.7 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 4.7 kOhms |
| Puissance - Max: | 100mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SC-75, SOT-416 |
| Autres noms: | RN1101(T5L,F,T) RN1101(T5LFT)TR RN1101(T5LFT)TR-ND RN1101,LF(CB RN1101,LF(CTTR RN1101T5LFT |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 250MHz |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 10mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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