RJU002N06FRAT106
- Modèle de produit:
- RJU002N06FRAT106
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 69191 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 1.RJU002N06FRAT106.pdf2.RJU002N06FRAT106.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | UMT3 |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 200mW (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SC-70, SOT-323 |
| Autres noms: | RJU002N06FRAT106TR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 18pF @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 2.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| Description détaillée: | N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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