Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > R6004CNDTL
R6004CNDTL
R6004CNDTL
Modèle de produit:
R6004CNDTL
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 600V 4A CPT
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
72167 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
R6004CNDTL.pdf
Enquête

introduction

We can supply R6004CNDTL, use the request quote form to request R6004CNDTL pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number R6004CNDTL.The price and lead time for R6004CNDTL depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# R6004CNDTL.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±25V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:CPT3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.8 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max):40W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:R6004CNDTLDKR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:280pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 4A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount CPT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes R6004CNDTL

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
R6004ENDTL Image R6004ENDTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 Enquête
R60030-2SR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Enquête
R60060-1COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Enquête
R6004ENX Image R6004ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A TO220 Enquête
R6004ENJTL Image R6004ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A LPT Enquête
R60060-1CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Enquête
R60060-2CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Enquête
R60030-1SR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Enquête
R60060-2COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Enquête
R60060-3COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Enquête
R6004KNJTL Image R6004KNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263 Enquête
R6004KNX Image R6004KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM Enquête
R60030-3COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Enquête
R60030-3PR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Enquête
R60030-2PR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Enquête
R60030-2COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Enquête
R60030-3CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Enquête
R60030-2CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Enquête
R60030-3SR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Enquête
R60030-1PR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Enquête

Latest Nouvelles