PSMN6R3-120ESQ
- Modèle de produit:
- PSMN6R3-120ESQ
- Fabricant:
- Nexperia
- La description:
- MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 54227 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- PSMN6R3-120ESQ.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | I2PAK |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.7 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 405W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Autres noms: | 1727-1508 568-10988-5 568-10988-5-ND 934067856127 PSMN6R3-120ESQ-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 11384pF @ 60V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 207.1nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 120V |
| Description détaillée: | N-Channel 120V 70A (Tc) 405W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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