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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > PMXB360ENEAZ
PMXB360ENEAZ
PMXB360ENEAZ
Modèle de produit:
PMXB360ENEAZ
Fabricant:
Nexperia
La description:
MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
38234 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
PMXB360ENEAZ.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:2.7V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DFN1010D-3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:450 mOhm @ 1.1A, 10V
Dissipation de puissance (max):400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:3-XDFN Exposed Pad
Autres noms:1727-1474-6
568-10945-6
568-10945-6-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:130pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:4.5nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):80V
Description détaillée:N-Channel 80V 1.1A (Ta) 400mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.1A (Ta)
Email:[email protected]

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