PMWD30UN,518
- Modèle de produit:
- PMWD30UN,518
- Fabricant:
- NXP Semiconductors / Freescale
- La description:
- MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 40348 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- PMWD30UN,518.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 700mV @ 1mA |
| Package composant fournisseur: | 8-TSSOP |
| Séries: | TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 33 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Puissance - Max: | 2.3W |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Autres noms: | 568-2364-1 PMWD30UN518 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1478pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 5V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 5A |
| Email: | [email protected] |
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