PDTC123EK,115
- Modèle de produit:
- PDTC123EK,115
- Fabricant:
- NXP Semiconductors / Freescale
- La description:
- TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 59176 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- PDTC123EK,115.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | SMT3; MPAK |
| Séries: | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 2.2 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Puissance - Max: | 250mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | 934057551115 PDTC123EK T/R PDTC123EK T/R-ND |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 20mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 1µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Numéro de pièce de base: | PDTC123 |
| Email: | [email protected] |
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