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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NX7002BKMBYL
NX7002BKMBYL
NX7002BKMBYL
Modèle de produit:
NX7002BKMBYL
Fabricant:
Nexperia
La description:
MOSFET N-CH 60V SGL 3-DFN1006B
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
64650 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NX7002BKMBYL.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:2.1V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DFN1006B-3
Séries:TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.8 Ohm @ 200mA, 10V
Dissipation de puissance (max):350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:3-XFDFN
Autres noms:1727-2231-1
568-12499-1
568-12499-1-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:23.6pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:1nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 350mA (Ta) 350mW (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:350mA (Ta)
Email:[email protected]

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