NVTFS4824NTAG
NVTFS4824NTAG
Modèle de produit:
NVTFS4824NTAG
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
33703 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NVTFS4824NTAG.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-WDFN (3.3x3.3)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.7 mOhm @ 23A, 10V
Dissipation de puissance (max):3.2W (Ta), 21W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerWDFN
Autres noms:NVTFS4824NTAG-ND
NVTFS4824NTAGOSTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1740pF @ 12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 18.2A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:18.2A (Ta)
Email:[email protected]

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