NTD3055-150T4G
NTD3055-150T4G
Modèle de produit:
NTD3055-150T4G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
77908 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NTD3055-150T4G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DPAK
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:150 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:NTD3055-150T4GOS
NTD3055-150T4GOS-ND
NTD3055-150T4GOSTR
NTD3055150T4G
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:5 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:280pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.8W (Tj) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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