NSVMMUN2133LT1G
- Modèle de produit:
- NSVMMUN2133LT1G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 39160 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- NSVMMUN2133LT1G.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor Type: | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Séries: | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 47 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 4.7 kOhms |
| Puissance - Max: | 246mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | NSVMMUN2133LT1G-ND NSVMMUN2133LT1GOSTR |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 36 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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