NSVBSS63LT1G
NSVBSS63LT1G
Modèle de produit:
NSVBSS63LT1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS PNP 100V 0.1A SOT-23
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
9127 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NSVBSS63LT1G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 2.5mA, 25mA
Transistor Type:PNP
Package composant fournisseur:SOT-23-3 (TO-236)
Séries:-
Puissance - Max:225mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:NSVBSS63LT1GOSCT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:36 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:95MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 100mA 95MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 25mA, 1V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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