NSV1SS400T1G
- Modèle de produit:
- NSV1SS400T1G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 67695 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- NSV1SS400T1G.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Inverse de crête (max): | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 200mA (DC) |
| Tension - Ventilation: | SOD-523 |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Résistance @ Si, F: | 3pF @ 0V, 1MHz |
| Polarisation: | SC-79, SOD-523 |
| Autres noms: | NSV1SS400T1G-ND NSV1SS400T1GOSTR |
| Température d'utilisation - Jonction: | 4ns |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 8 Weeks |
| Référence fabricant: | NSV1SS400T1G |
| Description élargie: | Diode Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount SOD-523 |
| Configuration diode: | 100nA @ 80V |
| La description: | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.2V @ 100mA |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 100V |
| Capacité à Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
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