NSS20101JT1G
NSS20101JT1G
Modèle de produit:
NSS20101JT1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS NPN 20V 1A SC-89
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
28530 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NSS20101JT1G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:220mV @ 100mA, 1A
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:SC-89-3
Séries:-
Puissance - Max:300mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-89, SOT-490
Autres noms:NSS20101JT1G-ND
NSS20101JT1GOSTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:44 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:350MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 1A 350MHz 300mW Surface Mount SC-89-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 100mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):1A
Numéro de pièce de base:NSS20101
Email:[email protected]

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