NE3516S02-T1C-A
- Modèle de produit:
- NE3516S02-T1C-A
- Fabricant:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- La description:
- IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 30772 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- NE3516S02-T1C-A.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Test: | 2V |
| Tension - Nominale: | 4V |
| Transistor Type: | N-Channel GaAs HJ-FET |
| Package composant fournisseur: | S02 |
| Séries: | - |
| Alimentation - sortie: | 165mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 4-SMD, Flat Leads |
| Noise Figure: | 0.35dB |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain: | 14dB |
| La fréquence: | 12GHz |
| Description détaillée: | RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02 |
| Note actuelle: | 60mA |
| Courant - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
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