NDS8852H
- Modèle de produit:
- NDS8852H
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 27014 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- NDS8852H.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.8V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 8-SO |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 80 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Puissance - Max: | 1W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | NDS8852HTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 300pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| type de FET: | N and P-Channel |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.3A, 3.4A 1W Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4.3A, 3.4A |
| Email: | [email protected] |
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