NCD5701CDR2G
- Modèle de produit:
- NCD5701CDR2G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 66994 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- NCD5701CDR2G.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Alimentation: | 20V |
| Package composant fournisseur: | 8-SOIC |
| Séries: | NCD5701 |
| Rise / Fall Time (Typ): | 18ns, 19ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | NCD5701CDR2GOSTR |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Nombre de conducteurs: | 1 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 4 Weeks |
| Tension logique - VIL, VIH: | - |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | - |
| Type de porte: | IGBT |
| Configuration pilotée: | High-Side or Low-Side |
| Description détaillée: | High-Side or Low-Side Gate Driver IC 8-SOIC |
| Current - Peak Output (Source, Évier): | 7.8A, 6.8A |
| courant de charge: | Synchronous |
| Email: | [email protected] |
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