MT3S111P(TE12L,F)
- Modèle de produit:
- MT3S111P(TE12L,F)
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 52255 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- MT3S111P(TE12L,F).pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 6V |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | PW-MINI |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1W |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | TO-243AA |
| Autres noms: | MT3S111P(TE12LF)CT |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | 1.25dB @ 1GHz |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain: | 10.5dB |
| Fréquence - Transition: | 8GHz |
| Description détaillée: | RF Transistor NPN 6V 100mA 8GHz 1W Surface Mount PW-MINI |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 30mA, 5V |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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