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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - RF > MS2200
MS2200
Modèle de produit:
MS2200
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
7527 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MS2200.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):65V
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:M102
Séries:-
Puissance - Max:1167W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:M102
Température de fonctionnement:200°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f):-
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:9.7dB
Fréquence - Transition:400MHz ~ 500MHz
Description détaillée:RF Transistor NPN 65V 43.2A 400MHz ~ 500MHz 1167W Chassis Mount M102
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 5A, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max):43.2A
Email:[email protected]

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