MRFE6VP6600GNR3
- Modèle de produit:
- MRFE6VP6600GNR3
- Fabricant:
- NXP Semiconductors / Freescale
- La description:
- TRANS RF LDMOS 600W 50V
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 63602 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 1.MRFE6VP6600GNR3.pdf2.MRFE6VP6600GNR3.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Test: | 50V |
| Tension - Nominale: | 133V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual) |
| Package composant fournisseur: | OM-780G-4L |
| Séries: | - |
| Alimentation - sortie: | 600W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | OM-780G-4L |
| Autres noms: | 935323761528 |
| Noise Figure: | - |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain: | 24.7dB |
| La fréquence: | 230MHz |
| Description détaillée: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 24.7dB 600W OM-780G-4L |
| Note actuelle: | - |
| Courant - Test: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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