État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1.4V @ 30mA, 300mA |
Transistor Type: | 2 NPN, 2 PNP |
Package composant fournisseur: | TO-116 |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 650mW |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
Autres noms: | MPQ6426 |
Température de fonctionnement: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Fréquence - Transition: | 200MHz |
Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP 30V 500mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 300mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 30nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 500mA |
Email: | [email protected] |