État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 1mA, 10mA |
Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur: | SOT-23-3 (TO-236) |
Séries: | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 47 kOhms |
Résistance - Base (R1): | 2.2 kOhms |
Puissance - Max: | 246mW |
Emballage: | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms: | MMUN2235LT1GOSCT |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 36 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |