MMFT2N02ELT1
- Modèle de produit:
- MMFT2N02ELT1
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 49008 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- MMFT2N02ELT1.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±15V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | SOT-223 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 800mA, 5V |
| Dissipation de puissance (max): | 800mW (Ta) |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | TO-261-4, TO-261AA |
| Autres noms: | MMFT2N02ELT1OSDKR |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 580pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | N-Channel 20V 1.6A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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