MMBT6517LT1G
- Modèle de produit:
- MMBT6517LT1G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19948 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- MMBT6517LT1G.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 350V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 5mA, 50mA |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 225mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | MMBT6517LT1GOSTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 200MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 20 @ 50mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 50nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Numéro de pièce de base: | MMBT6517 |
| Email: | [email protected] |
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