État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 200mV @ 5mA, 50mA |
Transistor Type: | NPN |
Package composant fournisseur: | SOT-23-3 (TO-236) |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 225mW |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms: | MMBT5551LT1GOS MMBT5551LT1GOS-ND MMBT5551LT1GOSTR |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 36 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition: | - |
Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 600mA |
Numéro de pièce de base: | MMBT5551 |
Email: | [email protected] |