MGSF1N02LT1G
- Modèle de produit:
- MGSF1N02LT1G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 17058 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- MGSF1N02LT1G.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 1.2A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 400mW (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | MGSF1N02LT1GOS MGSF1N02LT1GOS-ND MGSF1N02LT1GOSTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 27 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 125pF @ 5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | N-Channel 20V 750mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 750mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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