KSB811GTA
- Modèle de produit:
- KSB811GTA
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS PNP 25V 1A TO-92S
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 37578 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- KSB811GTA.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 25V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 100mA, 1A |
| Transistor Type: | PNP |
| Package composant fournisseur: | TO-92S |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 350mW |
| Emballage: | Tape & Box (TB) |
| Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 110MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 1A 110MHz 350mW Through Hole TO-92S |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 100mA, 1V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 1A |
| Numéro de pièce de base: | KSB811 |
| Email: | [email protected] |
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