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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > JANTX2N5666S
JANTX2N5666S
Modèle de produit:
JANTX2N5666S
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS NPN 200V 5A TO39
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
78024 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
JANTX2N5666S.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):200V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1V @ 5A, 1A
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TO-39 (TO-205AD)
Séries:Military, MIL-PRF-19500/455
Puissance - Max:1.2W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Autres noms:1086-21067
1086-21067-MIL
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 5A 1.2W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:40 @ 1A, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):200nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):5A
Email:[email protected]

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