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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - tableaux > JAN2N2920U
JAN2N2920U
Modèle de produit:
JAN2N2920U
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS 2NPN 60V 0.03A
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
50391 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
JAN2N2920U.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 100µA, 1mA
Transistor Type:2 NPN (Dual)
Package composant fournisseur:3-SMD
Séries:Military, MIL-PRF-19500/355
Puissance - Max:350mW
Emballage:Bulk
Package / Boîte:3-SMD, No Lead
Autres noms:1086-20776
1086-20776-MIL
Température de fonctionnement:200°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:23 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Surface Mount 3-SMD
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:300 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):10µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):30mA
Email:[email protected]

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