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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTQ150N06P
IXTQ150N06P
IXTQ150N06P
Modèle de produit:
IXTQ150N06P
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
7179 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXTQ150N06P.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-3P
Séries:PolarHT™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max):480W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:118nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 150A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3P
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:150A (Tc)
Email:[email protected]

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