IXGM40N60
- Modèle de produit:
- IXGM40N60
- Fabricant:
- IXYS Corporation
- La description:
- POWER MOSFET TO-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 24613 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- IXGM40N60.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 600V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.5V @ 15V, 40A |
| Condition de test: | 480V, 40A, 22 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 100ns/600ns |
| énergie de commutation: | - |
| Package composant fournisseur: | TO-204AE |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 200ns |
| Puissance - Max: | 250W |
| Package / Boîte: | TO-204AE |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | - |
| gate charge: | 250nC |
| Description détaillée: | IGBT 600V 75A 250W Through Hole TO-204AE |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm): | 150A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 75A |
| Email: | [email protected] |
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