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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFX20N120P
IXFX20N120P
IXFX20N120P
Modèle de produit:
IXFX20N120P
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
36764 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXFX20N120P.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Test:11100pF @ 25V
Tension - Ventilation:PLUS247™-3
Vgs (th) (Max) @ Id:570 mOhm @ 10A, 10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:HiPerFET™, PolarP2™
État RoHS:Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs:20A (Tc)
Polarisation:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Référence fabricant:IXFX20N120P
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:193nC @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:6.5V @ 1mA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 1200V (1.2kV) 20A (Tc) 780W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Tension drain-source (Vdss):-
La description:MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1200V (1.2kV)
Ratio de capacité:780W (Tc)
Email:[email protected]

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