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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFT13N100
IXFT13N100
IXFT13N100
Modèle de produit:
IXFT13N100
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
59768 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXFT13N100.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-268
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:900 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):300W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Autres noms:Q2093962
Température de fonctionnement:-
Type de montage:Surface Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:155nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1000V
Description détaillée:N-Channel 1000V 12.5A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12.5A (Tc)
Email:[email protected]

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