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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFK50N85X
IXFK50N85X
IXFK50N85X
Modèle de produit:
IXFK50N85X
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
33144 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXFK50N85X.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-264
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:105 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):890W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4480pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:152nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):850V
Description détaillée:N-Channel 850V 50A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-264
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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