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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFK32N60
IXFK32N60
IXFK32N60
Modèle de produit:
IXFK32N60
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 600V 32A TO-264AA
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
79343 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXFK32N60.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Test:9000pF @ 25V
Tension - Ventilation:TO-264AA (IXFK)
Vgs (th) (Max) @ Id:250 mOhm @ 500mA, 10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:HiPerFET™
État RoHS:Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs:32A (Tc)
Polarisation:TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:IXFK32N60
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:325nC @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:4.5V @ 8mA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 600V 32A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Tension drain-source (Vdss):-
La description:MOSFET N-CH 600V 32A TO-264AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:600V
Ratio de capacité:500W (Tc)
Email:[email protected]

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