ISL9R18120S3ST
- Modèle de produit:
- ISL9R18120S3ST
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 70947 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- ISL9R18120S3ST.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 3.3V @ 18A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 1200V |
| Package composant fournisseur: | TO-263AB |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | Stealth™ |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 300ns |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | ISL9R18120S3STDKR |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Description détaillée: | Diode Standard 1200V 18A Surface Mount TO-263AB |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 100µA @ 1200V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 18A |
| Capacité à Vr, F: | - |
| Numéro de pièce de base: | ISL9R18120 |
| Email: | [email protected] |
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